您好,欢迎进入嬴手网!Hello, Welcome to Windealer!
分享到:0
    • 上海申新知识产权网
    • 找专利,商标,发明专利,专利许可
    • 申新律师事务所
    • 全球知识产权交易平台
  • 我要卖
  • 我要买

低结电容过压保护晶闸管器件芯片及其生产方法
Thyristor Device Chip

Add to cart
独家锁定费/Exclusive Lock Fee
3,000.00

         本发明公开了一种低结电容过压保护晶闸管器件芯片和其生产方法,该芯片包括金属电极T1和T2、N+发射区、N-型长基区、P型短基区,所述芯片周围蚀刻有外沟槽,所述芯片内部设立一段N型离子注入区,在蚀刻沟槽外的P型短基区下形成一个N型区域埋层,其生产方法是:在硅片氧化后,在P型短基区扩散步骤前,增加了三步工艺步骤,双面光刻N型离子注入区、双面N型离子注入、N型离子注入氧化和扩散,经过P型短基区扩散后,在P型短基区下形成一个N型区域埋层。该方法工艺简单,加工方便,且改善了产品的性能,提高了产品电压的一致性和可控性。

网站地图
Site Map
关于我们
About Us
联系我们
Contact Us
免责声明
Disclaimer
广告服务
Advertise
诚聘英才
Join Us